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本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流Ｉｃ和集电极－发射极间电压ＶＣＥ的函数关系研究了集电区含ＩｎＧａＡｓＰ层、基区为Ｚｎ高掺杂的小尺寸ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＤＨＢＴ的高频性能。结果表明，减小发射极宽度比减小其长度能更有效地提高ｆｍａｘ，０．８μｍ发射极金属条宽的ＤＨＢＴ在Ｉｃ＝４ｍＡ的小电流时，具有超高的ｆｍａｘ和ｆＴ，其数值分别为２６７ＧＨｚ和１４４ＧＨｚ，ｆｍａｘ的增加归结为基区电阻和降低了