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研究了等离子体工艺对90nm铜大马士革工艺器件的损伤.对nMOSFET和pMOSFET分别进行了HCI和NBTI应力实验,实验结果证明天线比仍是反应等离子体损伤重要的标准且通孔天线结构器件的损伤最大,并从通孔刻蚀工艺过程中解释其原因.
等离子体对90nm工艺MOS器件的损伤
【摘 要】
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研究了等离子体工艺对90nm铜大马士革工艺器件的损伤.对nMOSFET和pMOSFET分别进行了HCI和NBTI应力实验,实验结果证明天线比仍是反应等离子体损伤重要的标准且通孔天线结构器
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年01期
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