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从模拟和试验和二方面对Ｎ－区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究。考虑到工艺条件，主要讨论Ｎ＾－区的掺杂浓度的变化对器件可靠性的影响。通过模拟和从实际工作中得到的结果，对于０．３５－１．２μｍ器件，我们将Ｎ＾－区的掺杂浓度优化为７＊１０＾１７－１＊１０＾１８／ｃｍ＾３。
N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响
【摘 要】
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从模拟和试验和二方面对Ｎ－区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究。考虑到工艺条件，主要讨论Ｎ＾－区的掺杂浓度的变化对器件可靠性的影响。通过模拟和从实际工作中得到的
【机 构】
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TsinghuaUniv
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
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2000年5期
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