【摘 要】
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本文采用发射光谱法诊断了大气压下Ar气、SiCl4及H2气混合气体(Ar/SiCl4/H2)射频放电等离子体射流特性.利用Si原子谱线强度计算了电子激发温度并以此估算了Si原子数密度,研究
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本文采用发射光谱法诊断了大气压下Ar气、SiCl4及H2气混合气体(Ar/SiCl4/H2)射频放电等离子体射流特性.利用Si原子谱线强度计算了电子激发温度并以此估算了Si原子数密度,研究了射频功率及气体流量对电子激发温度和Si原子数密度以及SiCl4解离率的作用.
In this paper, the emission characteristics of Ar / SiCl4 and H2 gas mixtures (Ar / SiCl4 / H2) were investigated by using emission spectroscopy. The electron emission temperature was calculated by Si atomic spectral line intensity and the Si atom The effects of RF power and gas flow rate on electron excitation temperature, Si atom number density and SiCl4 dissociation rate were studied.
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