【摘 要】
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对区熔和直拉单晶硅中双碳中心的热退火行为进行研究,并观测到新的硅光致发光谱线。这些谱线与硅中的碳、氧等点缺陷有关。实验已发现,双碳中心化学键断裂不是双碳中心退化的
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433香港科技大学物理系，香港九龙清水湾道,复旦大学电子工程系!上海200433
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对区熔和直拉单晶硅中双碳中心的热退火行为进行研究,并观测到新的硅光致发光谱线。这些谱线与硅中的碳、氧等点缺陷有关。实验已发现,双碳中心化学键断裂不是双碳中心退化的唯一原因,其他缺陷也会产生影响。我们认为双碳中心位于951.16(7671),952.98(7686),956.91meV(7717cm~(-1)的子带谱线是由于间隙硅原子而不是由空位造成的。
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