【摘 要】
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采用基于非平衡格林函数法（Non-equilibrium Green’s function,NEGF）量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管（RTD）的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,中国科学院研究生院
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采用基于非平衡格林函数法（Non-equilibrium Green’s function,NEGF）量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管（RTD）的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和集电区掺杂浓度以及隔离层厚度对InP基RTD器件I-V特性的影响。模拟结果表明,采用富In组份的势阱有利于降低峰值电压,提高发射区掺杂浓度有利于增大峰值电流密度,而散射则会导致谷值电流增大,影响其负阻特性。
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