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Muhammad Irfan等人依据第一原理DFT能带理论结构计算以及波兹曼传输理论,全面研究其电传输特性。利用密度函数理论探索畸变的Cu3SbSe材料,畸变分别为2%、4%、6%。原子结构全松驰方法表明,畸变偏离实验值小于1%~5%。讨论了塞贝克系数、电导率、导热率、功率因子及热电优值同温度关系。