【摘 要】
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为了配合我所Ⅲ—V族半导体材料的研究,我们用电化学技术测定了GaAs和InP以及有关化合物材料的特性,其中有些特性用其他方法是无法或难以测得的。本文报导最近2～3年来我们在
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,
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为了配合我所Ⅲ—V族半导体材料的研究,我们用电化学技术测定了GaAs和InP以及有关化合物材料的特性,其中有些特性用其他方法是无法或难以测得的。本文报导最近2～3年来我们在这方面所取得的一些结果。 C-V特性是研究电极/电解液界面特性
In line with our group III-V semiconductor materials, we have used electrochemical techniques to determine the properties of GaAs and InP and related compound materials, some of which can not or can not be measured by other methods. This article reports some of the results we have achieved in this area in the recent two to three years. The C-V characteristic investigates the electrode / electrolyte interface properties
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