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利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备了掺杂固溶半导体ＺｎＸｃＤ１－Ｘ的ＳｉＯ２玻璃。吸收光谱研究表明 材料的吸收边随Ｚｎ含量的增加而向短波方向移动；温度提高有利于生成较完整的晶粒，以短脉冲激光为激发光源对材料的光致发光效应和了分析，认为光致发光光谱是由电子与空穴复合发光和表面态与缺陷的复合发光组成，电子－空穴复合发光分布在较大的波长范围内，并且随Ｚｎ含量的增加向短波方向移动，材料热自理温度提高有于降低表面态