【摘 要】
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本文提出了沟道长度从1～3μm的硅栅短沟道C-MOS/SOS器件的设计、制造和特性,讨论基本器件参量和它们之间的互相关系,并予以详细说明。工作在5伏电源电压时,短沟道器件显示了极
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本文提出了沟道长度从1～3μm的硅栅短沟道C-MOS/SOS器件的设计、制造和特性,讨论基本器件参量和它们之间的互相关系,并予以详细说明。工作在5伏电源电压时,短沟道器件显示了极高速和低功率的性能,工艺的重复性和电路的性能表明短沟道C-MOS/SOS工艺适合于VLSI的应用。
In this paper, the design, fabrication and characteristics of Si-gate short-channel C-MOS / SOS devices with channel length of 1 ~ 3μm are discussed. The basic device parameters and their mutual relations are discussed and explained in detail. Short-channel devices exhibit extremely high speed and low power performance when operating at a 5-V supply voltage. Process repeatability and circuit performance indicate that short-channel C-MOS / SOS processes are suitable for VLSI applications.
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