单晶金刚石膜与多晶金刚石膜的制备工艺及性能

• 作 者: 李嘉 张战
• 机 构: 机械电子工业部郑州磨料磨具磨削研究所,机械电子工业部郑州磨料磨具磨削研究所
• 出 处: 硅酸盐学报
• 发表日期: 1992年4期
• 关键词: 微波等离子 化学气相沉积 金刚石膜 microwave plasma chemical vapor deposition polycryslalline di
• 基金项目: 国家“863”资助项目

本文主要介绍了用微波等离子体化学气相沉积法(以下简称MP CVD法)以甲醇-氢气混合气和丙酮-氢气混合气为源气体,分别以单晶硅的(111)面和人造金刚石的(100)面为衬底材料,制备出了面积为20mm×20mm厚为10μm的多晶金刚石膜和面积为1.0mm×1.0mm厚为5μm的单晶金刚石膜。通过试验发现,源气体配比和衬底温度对薄膜质量起决定性作用。另外,衬底在反应腔中的位置对薄膜的生成也有很大影响。单晶金刚石膜制备过程中衬底金刚石的晶体取向与金刚石薄膜的生长及质量有密切的关系。在金刚石