【摘 要】
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以乙酰丙酮铝Ａｌ（ａｃａｃ）＿３为前驱体用等离子化学气相沉积工艺在玻璃、石英、Ｓｉ（１００）和Ｎｉ等底材上沉积出了Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜。所获得的沉积膜或者无碳、透明、致密（平均３．８ｇ·ｃｍ￣（－３）），或为透明致密的硬质（硬度Ｈ＿Ｋ达２３７０）涂层。研究了各
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以乙酰丙酮铝Ａｌ（ａｃａｃ）＿３为前驱体用等离子化学气相沉积工艺在玻璃、石英、Ｓｉ（１００）和Ｎｉ等底材上沉积出了Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜。所获得的沉积膜或者无碳、透明、致密（平均３．８ｇ·ｃｍ￣（－３）），或为透明致密的硬质（硬度Ｈ＿Ｋ达２３７０）涂层。研究了各种实验参数对沉积速率、薄膜组成及膜层硬度的影响，认为偏压是最具影响的参数。
Al_2O_3 thin films were deposited on glass, quartz, Si (100) and Ni substrates by plasma CVD using aluminum acetylacetonate Al (acac) _3 as precursor. The deposited films were either carbon-free, transparent and dense (average 3.8 g cm -3) or were hard and transparent (hardness H_K 2370). The effects of various experimental parameters on the deposition rate, film composition and film hardness were studied. It is considered that bias is the most influential parameter.
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