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用液结光伏谱方法首次在ＰＮ４３５０光伏谱仪 对国产ＭＯＣＶＤ设备 九个ｐＧａａＳ／ｎ－ＧａＡｓ外延样品ｐ型外延层的少子扩散长度Ｌｎ和掺杂浓度ＮＡ的关系作了测量和分析。
p—GaAs＼n—GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析
【摘 要】
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用液结光伏谱方法首次在ＰＮ４３５０光伏谱仪 对国产ＭＯＣＶＤ设备 九个ｐＧａａＳ／ｎ－ＧａＡｓ外延样品ｐ型外延层的少子扩散长度Ｌｎ和掺杂浓度ＮＡ的关系作了测量和分析。
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室清华大学实验区
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年3期
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