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小角度解理技术是制备硅基半导体材料电横截面样品和新方法。该方法最显著的特点是采用简单工具，简便快速地沿硅片一一的解理面劈出样品，对材料本身基本无甚影响。
快速制备硅基半导体材料电镜横截面样品新方法——小角度解理技术
【摘 要】
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小角度解理技术是制备硅基半导体材料电横截面样品和新方法。该方法最显著的特点是采用简单工具，简便快速地沿硅片一一的解理面劈出样品，对材料本身基本无甚影响。
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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1996年A00期
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