ZrO2掺杂对SnO2薄膜电性及气敏性的影响

• 作 者: 方国家 刘祖黎
• 机 构: 华中理工大学物理系,430074,华中理工大学材料科学系,中科院国际材料物理中心,110015,中国高等科技中心（世界实验室）,北京,100080
• 出 处: 无机材料学报
• 发表日期: 1997年1期
• 关键词: 掺杂 气敏性 二氧化锡薄膜 陶瓷薄膜 二氧化锆 ZrO_2 doped SnO_2 thin films Sol-Gel technique ZrO_2 d
• 基金项目: 国家自然科学基金,湖北省教委资助

本研究不用金属醇盐而以无机盐ＳｎＣｌ２．２Ｈ２Ｏ为主体原料，以Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４为掺杂剂，无水乙醇为溶剂，采用溶胶－疑胶Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备了不同ＺｒＯ２掺杂份量的ＳｎＯ２薄膜，发现ＺｒＯ２薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ气体具有较好的气敏性能，同时本文研究了ＺｒＯ２掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜导电率及气敏性能的影响。