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建立了带有不掺杂隔离层的突变异质双极晶体管（ＨＢＴ）模型，在热场发射－扩散（ＴＦＤ）理论的基础上，又考虑了空间电荷区中的复合效应，对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ特性的分析表明，不掺杂隔离层虽可有效地降低导带边的势尖峰，提高发射结注入效率，但也会增大空间电荷区的复合电流，因此，在实际器件的设计和制作中，应适当选择不掺杂隔离层的厚度，以获得较好的器件特性，还给出了计算突变异质结界面处电子准费米能级不连