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本文报导了用z向限制法生长大尺寸高光学质量的脲单晶技术,对所生长的单晶用正电子湮没寿命谱学法进行了研究。发现在(010)和(100)晶面的空位捕获率(k_d)及空洞捕获率(k_D)均比(110)面大,证实了脲单晶生长沿(110)、(110)和(110)、(110)这四个面法线方向生长是有利的,以及本文所介绍的生长工艺是合理的。