切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象
发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象
来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:along365
【摘 要】
:
揭示了发光聚合物中光激发引起的一个新现象:光激发即吸收一个光子使发光聚合物中的正双极化子分裂成两个带正电的极化子,从而使发光聚合物中的磁化率改变.
【作 者】
:
傅柔励
傅丽伟
杨爱龄
【机 构】
:
中国科学院上海技术物理研究所,浙江大学
【出 处】
:
发光学报
【发表日期】
:
2002年6期
【关键词】
:
发光聚合物
光激发
磁化率
极化子
光电功能材料
luminescent polymers
photoexcitation
magnetic suscepti
【基金项目】
:
国家自然科学基金,国家高性能计算基金
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
揭示了发光聚合物中光激发引起的一个新现象:光激发即吸收一个光子使发光聚合物中的正双极化子分裂成两个带正电的极化子,从而使发光聚合物中的磁化率改变.
其他文献
“广东地方文献数据库子系统”在广州通过技术鉴定
【正】 由广东省中山图书馆承担的省重点科研项日--“广东地方文献数据库子系统”,最近在广州通过了技术鉴定。来自北京、武汉、广州、深圳等地的图书馆学专家、计算机专家共
期刊
地方文献
数据库子系统
技术鉴定
广东省中山图书馆
图书馆学
广州
操作系统
计算机专家
鉴定会
远程联机
采用热处理方法提高MEH—PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究
对以MEH-PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管(OLED)器件在最佳条件下进行真空热处理,并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌.发现处理后的器件阴极表面的气泡
期刊
有机发光二极管
可溶性聚对苯乙炔
热处理
黑斑
界面
OLED
MEH-PPV单层聚合物
发光性能
OLED
MEH-PPV
heat treatment
94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较
在采用MOCVD技术生长的GaN膜上制备出MSM紫外光探测器,分别在室温下和94K低温下,测量了探测器对不同光波长的响应、同一光波长下对不同偏压的响应、不同斩波频率下的响应.结
期刊
低温
MSM
GAN
室温
氮化镓
紫外光探测器
时间响应常数
metalsemiconductormetal (MSM)
GaN
photodetecto
LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析
采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,通过纯SiH4气体的表面热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点,在室温条件下实验研究了其光致发光(PL)特性,考察了PL效率
期刊
LPCVD
自组织生长
发光机制
Si纳米量子点
量子限制效应-界面中心复合发光
低压化学气相沉积
Sinanodots
selfassembled grow
液氦薄膜表面电子—涟波子系统的有效质量
研究了液氦薄膜表面电子与涟波子弱耦合的性质,采用线性组合算符和微扰法导出电子-涟波子系统的有效质量.当计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的涟波子之间相互作用时,
期刊
液氦薄膜
有效质量
电子-涟波子系统
弱耦合
表面极化子
films of liquid helium
ripplon
effective mass
硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量的一个简单的理论计算
介绍一个从晶体结构出发建立的晶体结构配位数与最佳掺杂含量关系的一个简单的理论表达式,对硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量作出理论计算,定量计算的结果与实验数据相符合.该
期刊
硫化锌
锰掺杂
ZNS
纳米微晶
最佳掺杂含量
理论计算
ZnS
nonocrystals
optimum doping content
theoreti
非共轭聚合物PPV衍生物中烷氧基团对发光性质的影响
研究了3种非共轭PPV聚合物以及3种共轭PPV衍生物的吸收谱和发光光谱的特性。非共轭PPV聚合物上的侧链烷氧基团有着很强的供电子能力,对调节非共轭聚合物能带带隙有重要的影响,
期刊
非共轭PPV聚合物
共轭PPV衍生物
烷氧基团
能带结构
电致发光
发光性质
conjugated-nonconjugated multiblock copol
ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化.结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带
期刊
ZNSE
ZnSe/GaAs
静压
异质结构
直接禁带-间接禁带转变
压力系数
半导体材料
硒化锌
砷化镓
光致发光
hydrostatic pressure
微球板电子倍增器基体制备技术研究
新型微球板电子倍增器和微通道板相比具有高增益、无离子反馈、制备简单、造价低廉等优点.介绍了微球板电子倍增器的工作原理、特点和广阔的应用前景.由于微球板基体的形成技
期刊
微球板
电子倍增器
离子反馈
烧结
微通道板
电子增益
输出电流
MSP
MCP
sintering
低束流Nd^3+注入硅基薄膜结构及光致发光的研究
采用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备了掺Nd3+硅基薄膜材料.用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000℃退火处理形成NdSi相钕
期刊
硅基薄膜
离子注入
ND^3+
结构
光致发光
钕(Ⅲ)
MEVVA
金属蒸气真空弧离子源
ion implantation
Nd~(3+)
structu
其他学术论文