【摘 要】
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军用高可靠电子器件的组装工艺复杂性要求开发适用于低温钎焊的钎料。对InSnPb和InSnPbAu钎料在Cu/Ni/Au体系钎焊界面进行研究。利用DSC、SEM对钎料热性能和焊点界面显微组织
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十五研究所
【基金项目】
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中央军委装备发展部电子元器件科研项目(1807WW0011)
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军用高可靠电子器件的组装工艺复杂性要求开发适用于低温钎焊的钎料。对InSnPb和InSnPbAu钎料在Cu/Ni/Au体系钎焊界面进行研究。利用DSC、SEM对钎料热性能和焊点界面显微组织进行检测,并进行剪切强度测试。结果表明,焊点金属间化合物为AuIn2。两种钎料剪切强度均满足军用标准,InSnPb略高于InSnPbAu。经过高温老化后由于原子扩散和IMC层的继续生长使焊点剪切强度略有提升,而经过温度循环后剪切强度显著下降。剪切断口形貌表明,断裂位置主要位于钎料处,对于提升塑性变形能力是有利的。厚金界面
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