单晶AIN纳米的合成和光致发光特性研究

来源 :沈阳理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：deiaw

【摘要】

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在无催化剂和模板条件,利用直流电弧放电等离子方法直接氮化金属铝合成纤锌矿结构的单晶AIN纳米线.分别用X光射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对AIN纳米线的结构和形貌

【作者】

：

沈龙海李博文李凤岐崔启良

【机构】

：

沈阳理工大学,理学院,辽宁,沈阳,110168吉林,大学;

【出处】

：

沈阳理工大学学报

【发表日期】

：

2009年4期

【关键词】

：

AIN纳米线半导体材料直流电弧放电光致发光

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在无催化剂和模板条件,利用直流电弧放电等离子方法直接氮化金属铝合成纤锌矿结构的单晶AIN纳米线.分别用X光射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对AIN纳米线的结构和形貌进行表征,并测量了AIN纳米线的光致发光谱(PL).结果表明,AIN纳米线的长度超过100 μm.直径大约200 nm,具有较高的长径比;在AIN纳米线的PL谱中,中心在506nm的发射带源于氮空位相关的深能级缺陷.rn

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