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对超深亚微米存储器（32 k SRAM）激光辐照下的剂量率效应进行了初步研究，实验测量了SRAM激光辐照下的效应规律，比较了零时SRAM的状态（读状态和片选无效状态）对效应规律的影响，得到了一些初步的效应规律。
CMOS存储器瞬时辐照效应规律实验研究
【摘 要】
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对超深亚微米存储器（32 k SRAM）激光辐照下的剂量率效应进行了初步研究，实验测量了SRAM激光辐照下的效应规律，比较了零时SRAM的状态（读状态和片选无效状态）对效应规律的影响，得到了
【机 构】
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西北核技术研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2009年2期
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