【摘 要】
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半导体激光器现已成为随处可见的一种激光器.光抽运和电激励半导体激光器被广泛用于从通讯、信息存储和处理到医学诊断和治疗等各个领域.半导体量子阱(QW)结构作为光增益介质
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半导体激光器现已成为随处可见的一种激光器.光抽运和电激励半导体激光器被广泛用于从通讯、信息存储和处理到医学诊断和治疗等各个领域.半导体量子阱(QW)结构作为光增益介质的使用已导致半导体激光技术的重要进展.一维量子的约束把量子阱中载流子的运动限制在其余的二维.因而,量子阱具有在带缘处为非零二维阶梯状电子密度,得以供给带缘发射的更高载流子浓度,这导致激射阈值下降、温度稳定性改善和发射线宽变窄. 从原理上讲,用量子线和量子点(QD)有可能使带缘的态密度进一步增高和激射阈值进一步降低,因为量子线和量子点的量子约束分别是二维和三维的.量子点的电子谱由充分间隔的类原子态构成,态的能量间隔随点的尺寸减小而增加.在极小的量子点中,电子态的间距远大于可达到的热能(强约束),阻止了最低电子态因热造成的去布居,使得激励水平为每个点平均只有一个电子-空穴(e-h)对时激射阈值不受温度影响.此外,强约束态下量子点的发射波长如所报导的是尺寸的函数,这就增加了一个新优点,即只需改变量子点的大小就能使连续谱在宽能量范围内可调谐.通过很容易作到的对量子点尺寸和对半导体成份的控制,实现量子点激光输出颜色的控制,这一美好前景十几年来一直是推动纳米晶体量子点研究的动力.
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