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高增益异质结光电晶体管的研制
高增益异质结光电晶体管的研制
来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lu471085958
【摘 要】
:
利用液相外延技术研制出高增益InGaAsP/InP异质结光电晶体管(HPT)。入射光波长为1.256μm时,实现直流光增益为88.9,微分光增益为148,光谱响应范围为0.85~1.3μm。在外偏电压小
【作 者】
:
刘宝林
李克诚
【机 构】
:
机电部第13研究所,机电部第13研究所石家庄050051,石家庄050051
【出 处】
:
半导体情报
【发表日期】
:
1992年2期
【关键词】
:
光电晶体管
液相外延
异质结
Phototransistor LPE Heterojunction
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利用液相外延技术研制出高增益InGaAsP/InP异质结光电晶体管(HPT)。入射光波长为1.256μm时,实现直流光增益为88.9,微分光增益为148,光谱响应范围为0.85~1.3μm。在外偏电压小于4V时暗电流小于10nA。
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