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研究利用高磁场强度实现低电压磁控溅射的可能性;通过理论分析、实际设计和实验,分析了限制矩形平面磁控溅射靶表面水平磁场强度B的上限的几个因素;设计出了B为0.09 T的矩形平面磁控溅射靶.结果表明:B的增加显著降低了磁控溅射镀膜工艺的着火电压和维持放电电压,为实现低电压磁控溅射提供了另一种思路.
高磁场强度的矩形平面磁控溅射靶的设计
【摘 要】
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研究利用高磁场强度实现低电压磁控溅射的可能性;通过理论分析、实际设计和实验,分析了限制矩形平面磁控溅射靶表面水平磁场强度B的上限的几个因素;设计出了B为0.09 T的矩形
【机 构】
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华南理工大学电信学院
【出 处】
：
真空与低温
【发表日期】
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2003年1期
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