碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shinny321

【摘要】

：

SiC MOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiCMOSFET工艺尚未取得满意结果.通过在NO中高温退火可以显著地提高4H-SiC MOSFET的有

【作者】

：

姬慧莲杨银堂郭中和柴常春李跃进

【机构】

：

西安电子科技大学

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2003年4期

【关键词】

：

碳化硅MOSFET 反型沟道迁移率阈值电压电子迁移率界面态 Silicon carbide Interface state Inversion chann

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SiC MOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiCMOSFET工艺尚未取得满意结果.通过在NO中高温退火可以显著地提高4H-SiC MOSFET的有效沟道迁移率;采用H2中退火制作的4H-SiC MOSFET阈值电压为3.1V,反型沟道迁移率高于100cm2/Vs的栅压的安全工作区较宽.N2O退火技术由于其的安全性而发展迅速并将取代NO.

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