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用Ｓｉ＋／Ｂ＋、Ａｒ＋／Ｂ＋双注入结合快速热退火技术制备出了较浅的ｐ＋ｎ结，用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱、二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋或Ａｒ＋预非晶化离子注入的作用。结果表明，适当条件的Ｓｉ＋预非晶化注入能有效地抑制硼原子的沟道效应，用Ｓｉ＋／Ｂ＋双注入制备出了高硼原子电激活率的Ｐ＋薄层，且电性能优良，残留二次缺陷少，ｐ＋ｎ结二极管反偏漏电流仅２．０ｎＡ／ｃｍ２（－１．４Ｖ）；而Ａｒ＋注入虽然也能抑制硼原子注入沟道效应，但它使注入硼原子电激活率低，制得的Ｐ＋薄层性能差，残留二次缺陷较多