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氧化铝（Al2O3）薄膜具有许多优良的物理化学性能，在机械、光学及微电子等高科技领域有着广泛应用，一直受到人们的高度关注。但Al2O3具有多种物相形态，性质差别很大。因此研究不同结构对其发光性能的影响在Al2O3实际应用中有着重要意义。本文采用射频磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备了Al2O3薄膜，并在氮气中进行了不同温度的退火，对比了退火前后薄膜的结构和光致发光特性。观察到了在384nm和401nm附近的两个荧光峰，这两个发光峰都是由色心引起的。随着退火温度的升高，Al2O3薄膜的结晶质量变好，同时荧光峰峰