夹心式a—Si：H光阴极

• 作 者: 陈元星 海宇涵 等
• 机 构: 中国科学院电子所
• 出 处: 薄膜科学与技术
• 发表日期: 1991年4期
• 关键词: 非晶硅 薄膜 光阴极 夹心式aSi:H 量子效率

为了提高a-Si:H光电发射的量子效率，设计了夹心式场增强结构。此结构是SnO2-n-pa-Si:H-AI:Cs:O，并在光阴极动态试验系统上进行了初步实验研究，它的光谱响应复盖整个可见光区，长玻限在0.82um，知值波长0.56um。光电发射灵敏度与所加偏压有关，在15V偏压下，积分灵敏度为30um/Lm，峰值量子效率为2.1%。