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用束箔法研究了类硅铑离子的3s23p23P1,2-3s3p35S2的禁戒跃迁谱线.谱线识别从已知基态精细结构的分裂、基于分支比的强度比、相似的衰减特性、离子束能量下的谱线预期值方面着手.识别后,通过对已知谱线的波长的等电子系列曲线插值或外推来获得用于较刻的谱线的波长,然后较刻出3s23p23P1,2-3s3p35S2这两条谱线.