IMEC和Veeco合作力图降低GaN-on-Si生产成本

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比利时纳米电子研究中心IMEC与Veeco正在进行项目合作,旨在降低生产硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。IMEC的首席科学家BarunDutta评论说,“VeecoMOCVD设备的生产力,可重复性,均匀性和晶体质量为我们在硅基氮化镓和LED应用的发展里程碑上起到了重要作用。启用该设备性能外延已经帮助我们实现最先进的D-模式(耗尽模式)和E-模式(增强模式)功率器件。我们的目标是建立一个完整的生产基础设施,使硅基氮化镓成为具备竞争力的技术。” IMEC, a Belgian nanoelectronics research center, and Veeco are working on a project to reduce the cost of producing GaN-on-Si power devices and LEDs. BarunDutta, IMEC’s ​​chief scientist, commented, “The productivity, repeatability, uniformity, and crystal quality of the Veeco MOCVD equipment have played a key role in our milestones in the development of silicon-based GaN and LED applications. Helping us to implement the most advanced D-mode (depletion mode) and E-mode (enhancement mode) power devices.Our goal is to create a complete production infrastructure that makes GGT a compelling technology. ”
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