热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p^＋/n^＋发射极研究

• 作 者: 宿世超 王涛 韩宇哲 田罡煜 黄海宾 高超 岳之浩 袁吉仁
• 机 构: 南昌大学光伏研究院
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2016年11期
• 关键词: HWCVD 晶硅太阳电池 固态扩散源 发射极 方阻 HWCVD crystalline silicon solar cell solid diffusion
• 基金项目: 国家自然科学基金（61306084,61464007）, 江苏省能量转换材料与技术重点实验室开放课题基金（NJ20160032）, 江西省重点研发计划-技术引进与合作研究-重点项目（2016BBH80043）

为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散。采用热丝化学气相沉积法（HWCVD）在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中进行高温扩散,最后用稀HF溶液去除表面的BSG/PSG。通过掺磷薄膜扩散在P型单晶硅片上制备了方阻在50-250Ω/□范围内可控的n^＋型发射极;通过掺硼薄膜扩散在N型硅片上制备了方阻在150-600Ω/□范围内可控的p^＋型发射极。并且通过在源气体中加入CO2作为氧源,实现了扩散