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随着近年来半导体技术的快速发展，半导体集成电路发生了翻天覆地的变化。其中半导体制程技术中的栅极氧化层形成技术在器件中的作用也越来越重要。栅极氧化物的厚度也随着线宽的减小而越来越薄，在90纳米的工艺中栅极氧化层的厚度不到20埃。因此随之而来的问题是：由于在形成栅极氧化层的过程中，晶圆从室温进入高温制程炉管或从高温制程炉管栽出到室温的过程中的温度的巨大变化导致微小颗粒的生成从而带来栅极氧化层的致命缺陷，最终导致产品电性不稳定，良率和可靠性降低的问题。我们称这种高温热氧化层缺陷为有源区域栅极氧化层损伤的缺陷。本