MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究

• 作 者: 孙小玲 杨辉 王玉田 李国华 郑联喜 李建斌 徐大鹏 王占国
• 机 构: 中国科学院半导体研究所!北京100083,中国科学院半导体研究所!北京100083,中国科学院半导体研究所!北京100083,中国科学院半导体研究所!北京100083,中国科学院半导体研究所!北京10
• 出 处: 中国科学(A辑)
• 发表日期: 1999年05期
• 关键词: 立方相 GaN 六角相含量 热退火

采用高温热退火的方法 ,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs( 0 0 1 )衬底制备的立方GaN薄膜进行处理 ,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化 .报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征 .在GaN/GaAs之间存在一个界面层 ,高温退火时 ,来自界面层的TOB,LOB 声子的强度降低 ,而来自六角相的E2 声子增强 ,说明六角相含量增加 .样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因 .在较低的温度下 ,六角相含量没有明显变化 ,而且与退火时间无关 .