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日前，英特尔新的高产量65纳米工厂在爱尔兰Leixlip开张，这是英特尔公司在欧洲的首个高产量65纳米芯片厂。
这一工厂的落成将进一步加强英特尔在先进芯片制造上的领先地位，也标志着英特尔建成了第三座采用其先进的65纳米制程技术的芯片工厂。与此同时，这也是半导体业界在欧洲建成的第一家高产量65纳米芯片厂。
这家总价值20亿美元的工厂已经开始在业界最大尺寸（300毫米）的晶圆上，采用65纳米制程技术进行大批量生产，这使英特尔的工厂能够以极低的成本大量生产微处理器。这座新工厂加上英特尔原有的分别位于美国亚利桑那州和俄勒冈州的两家工厂，是世界上制造多核微处理器的工厂中技术最先进的大批量半导体制造厂。英特尔总裁兼首席执行官保罗欧德宁说，“我们的生产能力是推动英特尔成功的关键。”
对65纳米工艺技术的快速部署，使得拥有三个65纳米工厂的英特尔在制造方面达到了一个重要的里程碑。这意味着英特尔目前生产的PC和服务器微处理器中，一半以上都是采用这种业界领先的制程技术生产出来的。爱尔兰的新工厂在三个月前已经开始在300毫米晶圆上进行生产。
英特尔在取得65纳米制程技术领导地位的同时，也在开始着手准备采用下一代45纳米制程技术，这项技术预计在2007年底采用。
方正西部电子产业基地正式开工
以挠性电路板（FPC）为主要产品的“方正西部电子产业基地”日前正式开工。方正跨入多层电路板的生产领域，这意味着方正IT产业链向更高技术环节及更高附加值方向发展。
落户重庆西永微电子工业园的方正FPC项目建成后，将主要生产多层FPC及软硬结合板。
目前国内投资的FPC项目主要针对单面及双层FPC，形成在低端市场的激烈竞争。而方正此次重庆的FPC项目，无论工艺选取还是设备选型都达到了国际领先水平，产品将主要面对高端市场。主要应用领域包括：手机、笔记本电脑、液晶显示器、等离子显示器及数码相机等；同时，FPC以及软硬结合印刷电路板还将应用于航空航天、军工等高精尖领域。
项目建成后，该基地将成为国内企业中最大规模的挠性电路板生产企业，同时也将成为国内企业中领先掌握高端挠性电路板、软硬结合电路板生产技术的企业。这也将巩固方正在整个PCB产业以及IT产业中的核心地位。
在方正集团目前的产业格局及未来发展战略中，IT硬件制造仍然是方正产业的主要支柱，因此在扩大PC制造规模的同时，方正力求快速纵向延伸到产业链高端环节，实现从PC到电路板再到芯片的产业链三级跳。
使功率密度提高25%
在MTT国际微波研讨会上，英飞凌展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF(射频)晶体管。采用这种工艺制造的设备的工作频率，可以满足高速无线接入网络的要求，在功率密度方面，比采用英飞凌现有工艺生产的设备高出25%。此外，随LDMOS一起采用的新型塑料封装技术，可降低系统总体成本。
采用这种全新工艺，可以制造出工作频率高达3.8GHz的晶体管，该频率位于WiWAX(全球微波接入互操作性)和IEEE 802.16规定的无线接入频带之内，大大高于采用上一代工艺生产的晶体管(2.7GHz)。功率密度(即单位面积的硅片可产生的功率量)也增加了25%，这为在较小的封装中集成高功率设备创造了条件，因而降低了功率放大系统对印刷电路板的面积要求。
除提高增益外，这种工艺还能使线性放大器在回退操作模式下的效率比现有产品提高3个百分点，这不仅减少了所需组件的数量，而且降低了组件功耗，因此降低了蜂窝基站的制冷要求。 首批采用这种工艺制造的产品预计在2006年年底上市。
适用于便携式计算机
凌特公司日前推出快速、精确智能电池充电控制器LTC4101。该器件有无主微控制器都可工作。该IC完全符合Rev. 1.1 SMBus规范，并满足了智能电池系统(SBS)二级(Level 2)充电功能的要求。LTC4101为3V至5.5V充电电压而优化，适用于单节锂离子电池和3至4节镍化学电池充电。它能够以高达4A的电流快LTC4101为3V至5.5V充电电压而优化，适用于单节锂离子电池和3至4节镍化学电池充电。它能够以高达4A的电流快速充电，电压准确度为0.8%，电流准确度为4%。同步开关工作实现了在6V至28V的宽输入电源电压范围内的高效率充电。LTC4101采用小型24引脚SSOP封装，非常适用于便携式计算机和仪器。
就灵活性而言，LTC4101集成了一个10位DAC和一个11位DAC，分别用于充电电流编程和充电电压编程。利用该充电器的输入电流限制功能可实现最高充电速率，而且不会出现墙上适配器等输入电源过载的情况。
SMBus接口在输入电源去掉后仍保持有效，并响应所有传过来的SMBus动作，如与该集成电路一起自动监视电池温度、连接性和电池类型信息的SafetySignal状态。LTC4101的额定工作温度范围为-40℃至85℃。以1000片为单位批量购买，每片起价为5美元。
支持RGB视频显示
晶门科技日前发布其图像处理器SSD1921及SSD1922，可支持分辨率达480×272(RGB)的视频显示，适用于摄像手机、3G电话、汽车视听系统、游戏控制器以及数字相框等产品。
这两款IC为功能强大的显示引擎，可满足市场上对于彩色JPEG相片显示、多媒体接口以及DVD视频播放功能的需求。
SSD1921和SSD1922皆拥有用于显示图像缓冲器的256KB内存、JPEG编译码器缓冲器，以及适用于各类LCD副屏的显示缓冲器(仅SSD1922)，可适用于各种显示面板技术。单色/灰阶STN、彩色STN、平行或序列RGB式TFT、Stripe或Delta像素排列面板皆可由SSD1921及SSD1922内的显示引擎加以处理。
SSD1921和SSD1922内建SD/SDIO主机控制器，可连接至SD记忆卡以进行外部储存，或者扩充成SDIO型式的装置。
SSD1921可支持常见的无RAM式之单一显示面板。面板的最大色彩深度支持在平行式RGB TFT中的18位，或是在序列RGB TFT中达24位。它可运用于任何消费性电子装置以及车用显示控制器内。
SSD1922采用BGA-144封裝，并且能够同时支持主屏及副屏。SSD1922的小型封装使其非常适合于各种便携式装置，甚至用于移动电话。可支持无RAM式平行24位TFT面板的最大色彩深度。
这一工厂的落成将进一步加强英特尔在先进芯片制造上的领先地位，也标志着英特尔建成了第三座采用其先进的65纳米制程技术的芯片工厂。与此同时，这也是半导体业界在欧洲建成的第一家高产量65纳米芯片厂。
这家总价值20亿美元的工厂已经开始在业界最大尺寸（300毫米）的晶圆上，采用65纳米制程技术进行大批量生产，这使英特尔的工厂能够以极低的成本大量生产微处理器。这座新工厂加上英特尔原有的分别位于美国亚利桑那州和俄勒冈州的两家工厂，是世界上制造多核微处理器的工厂中技术最先进的大批量半导体制造厂。英特尔总裁兼首席执行官保罗欧德宁说，“我们的生产能力是推动英特尔成功的关键。”
对65纳米工艺技术的快速部署，使得拥有三个65纳米工厂的英特尔在制造方面达到了一个重要的里程碑。这意味着英特尔目前生产的PC和服务器微处理器中，一半以上都是采用这种业界领先的制程技术生产出来的。爱尔兰的新工厂在三个月前已经开始在300毫米晶圆上进行生产。
英特尔在取得65纳米制程技术领导地位的同时，也在开始着手准备采用下一代45纳米制程技术，这项技术预计在2007年底采用。
方正西部电子产业基地正式开工
以挠性电路板（FPC）为主要产品的“方正西部电子产业基地”日前正式开工。方正跨入多层电路板的生产领域，这意味着方正IT产业链向更高技术环节及更高附加值方向发展。
落户重庆西永微电子工业园的方正FPC项目建成后，将主要生产多层FPC及软硬结合板。
目前国内投资的FPC项目主要针对单面及双层FPC，形成在低端市场的激烈竞争。而方正此次重庆的FPC项目，无论工艺选取还是设备选型都达到了国际领先水平，产品将主要面对高端市场。主要应用领域包括：手机、笔记本电脑、液晶显示器、等离子显示器及数码相机等；同时，FPC以及软硬结合印刷电路板还将应用于航空航天、军工等高精尖领域。
项目建成后，该基地将成为国内企业中最大规模的挠性电路板生产企业，同时也将成为国内企业中领先掌握高端挠性电路板、软硬结合电路板生产技术的企业。这也将巩固方正在整个PCB产业以及IT产业中的核心地位。
在方正集团目前的产业格局及未来发展战略中，IT硬件制造仍然是方正产业的主要支柱，因此在扩大PC制造规模的同时，方正力求快速纵向延伸到产业链高端环节，实现从PC到电路板再到芯片的产业链三级跳。
使功率密度提高25%
在MTT国际微波研讨会上，英飞凌展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF(射频)晶体管。采用这种工艺制造的设备的工作频率，可以满足高速无线接入网络的要求，在功率密度方面，比采用英飞凌现有工艺生产的设备高出25%。此外，随LDMOS一起采用的新型塑料封装技术，可降低系统总体成本。
采用这种全新工艺，可以制造出工作频率高达3.8GHz的晶体管，该频率位于WiWAX(全球微波接入互操作性)和IEEE 802.16规定的无线接入频带之内，大大高于采用上一代工艺生产的晶体管(2.7GHz)。功率密度(即单位面积的硅片可产生的功率量)也增加了25%，这为在较小的封装中集成高功率设备创造了条件，因而降低了功率放大系统对印刷电路板的面积要求。
除提高增益外，这种工艺还能使线性放大器在回退操作模式下的效率比现有产品提高3个百分点，这不仅减少了所需组件的数量，而且降低了组件功耗，因此降低了蜂窝基站的制冷要求。 首批采用这种工艺制造的产品预计在2006年年底上市。
适用于便携式计算机
凌特公司日前推出快速、精确智能电池充电控制器LTC4101。该器件有无主微控制器都可工作。该IC完全符合Rev. 1.1 SMBus规范，并满足了智能电池系统(SBS)二级(Level 2)充电功能的要求。LTC4101为3V至5.5V充电电压而优化，适用于单节锂离子电池和3至4节镍化学电池充电。它能够以高达4A的电流快LTC4101为3V至5.5V充电电压而优化，适用于单节锂离子电池和3至4节镍化学电池充电。它能够以高达4A的电流快速充电，电压准确度为0.8%，电流准确度为4%。同步开关工作实现了在6V至28V的宽输入电源电压范围内的高效率充电。LTC4101采用小型24引脚SSOP封装，非常适用于便携式计算机和仪器。
就灵活性而言，LTC4101集成了一个10位DAC和一个11位DAC，分别用于充电电流编程和充电电压编程。利用该充电器的输入电流限制功能可实现最高充电速率，而且不会出现墙上适配器等输入电源过载的情况。
SMBus接口在输入电源去掉后仍保持有效，并响应所有传过来的SMBus动作，如与该集成电路一起自动监视电池温度、连接性和电池类型信息的SafetySignal状态。LTC4101的额定工作温度范围为-40℃至85℃。以1000片为单位批量购买，每片起价为5美元。
支持RGB视频显示
晶门科技日前发布其图像处理器SSD1921及SSD1922，可支持分辨率达480×272(RGB)的视频显示，适用于摄像手机、3G电话、汽车视听系统、游戏控制器以及数字相框等产品。
这两款IC为功能强大的显示引擎，可满足市场上对于彩色JPEG相片显示、多媒体接口以及DVD视频播放功能的需求。
SSD1921和SSD1922皆拥有用于显示图像缓冲器的256KB内存、JPEG编译码器缓冲器，以及适用于各类LCD副屏的显示缓冲器(仅SSD1922)，可适用于各种显示面板技术。单色/灰阶STN、彩色STN、平行或序列RGB式TFT、Stripe或Delta像素排列面板皆可由SSD1921及SSD1922内的显示引擎加以处理。
SSD1921和SSD1922内建SD/SDIO主机控制器，可连接至SD记忆卡以进行外部储存，或者扩充成SDIO型式的装置。
SSD1921可支持常见的无RAM式之单一显示面板。面板的最大色彩深度支持在平行式RGB TFT中的18位，或是在序列RGB TFT中达24位。它可运用于任何消费性电子装置以及车用显示控制器内。
SSD1922采用BGA-144封裝，并且能够同时支持主屏及副屏。SSD1922的小型封装使其非常适合于各种便携式装置，甚至用于移动电话。可支持无RAM式平行24位TFT面板的最大色彩深度。