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以标准3-μm双阱CMOS工艺为基础，开发了高低压体硅CMOS工艺，解决了低压CMOS和高压LDMOS工艺兼容性问题。基于RESURF原理，设计了八边形结构的高压LDMOS；完成了低压控制电路与高压LDMOS集成专用高速高压驱动器的设计。测试结果表明，高压LDMOS的开通电阻约为22Ω，击穿电压不高于130V；专用高速高压驱动器功能指标达到设计要求。