氟离子敏场效应管的研制

• 作 者: 张虹 韩泾鸿
• 机 构: 中国科学院电子学研究所
• 出 处: 传感器技术
• 发表日期: 2002年9期
• 关键词: 离子敏场效应晶体管 氟 敏感材料 FISFET 传感器 牙菌斑液 ?ion sensitive field effect transistor(ISFET)

阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET)型传感器的结构和工作原理.它是在pH-ISFET传感器的基础上用PVC方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管.该传感器具有全固态化﹑体积小的特点.实验表明该传感器的灵敏度为50mV/C, 响应时间:小于1min,相关系数为0.9842,对氟化物的检测范围:1×10-6～1×10-1mol/L.