,The influence of interfacial barrier engineering on the resistance switching of In2O3∶SnO2/TiO2/In2

来源 :中国物理B（英文版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：gwwpw8775

【作者】

：

Liu Zi-Yu Zhang Pei-Jian Meng Yang Li Dong Meng Qing-Yu Li Jian-Qi Zhao Hong-Wu

【机构】

：

Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics,Chinese Academy of Sc

【出处】

：

中国物理B（英文版）

【发表日期】

：

2012年4期

【关键词】

：

resistance switching interfacial Schottky barrier oxygen vacancy two-step switch

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