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采用LLP中间耦合方法,研究了电子-声子相互作用对压电表面的影响.结果表明,当电子接近晶体表面处时,表面声学声子之间的相互作用对表面态的影响很大,尤其是电子-压电声子耦合较强的化合物,压电声子对电子在表面的束缚比光学声子的束缚强很多.因此,研究压电材料的电子表面态时,应主要考虑压电声学声子.
电子-声子相互作用对压电表面态的影响
【摘 要】
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采用LLP中间耦合方法,研究了电子-声子相互作用对压电表面的影响.结果表明,当电子接近晶体表面处时,表面声学声子之间的相互作用对表面态的影响很大,尤其是电子-压电声子耦合
【机 构】
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内蒙古师范大学物理与电子信息学院
【出 处】
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内蒙古师范大学学报：自然科学汉文版
【发表日期】
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2004年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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