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室温下采用直流磁控溅射法在PI衬底上制备出具有优异光学性能的ZnO：Ga透明导电薄膜．研究结果表明，制备了具有C轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶GZO透明导电薄膜．讨论了薄膜厚度对PI衬底上制备ZnO：Ga薄膜的结构、表面形貌和电学性质的影响．实验数据表明，一定同质缓冲层可有效降低薄膜应力，改善薄膜性能，所得GZO薄膜厚度为129nm时，电阻率具有最小值3．2×10^-4Ω·cm．