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介绍了基于共振隧穿二极管的隧穿静态随机存储器的单元结构和原理，讨论了nMOS，pMOS和CMOS作为单元里的选中管的特点，综合考虑面积和功耗后，发现nMOS是选中管的最佳选择，设计了基于RTD的TSRAM系统结构，模拟显示了这种新型存储器具有高集成度、高速和低功耗的优势。
基于共振隧穿二极管的TSRAM设计
【摘 要】
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介绍了基于共振隧穿二极管的隧穿静态随机存储器的单元结构和原理，讨论了nMOS，pMOS和CMOS作为单元里的选中管的特点，综合考虑面积和功耗后，发现nMOS是选中管的最佳选择，设计了基于
【机 构】
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清华大学徽电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年2期
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