论文部分内容阅读
利用微波脉冲注入实验平台，对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中，当低噪声放大器增益下降大于lOdB时，发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜观测损伤后晶体管的微观特性发现：硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后，基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路，不再具有PN结特性，导致器件失效。