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Si/SiGe异质结双极晶体管（HBT）已通过采用MBE生长一完整的层结构而制作成功，典型的基区杂质浓度为2×10^19cm^-3，这远远地超过发射区的杂质浓度，结果薄层电阻为1kΩ/□左右，器件显示500V Early电压，室温下最大的电流增益为550，77K下上升到13000，制作在掩埋层衬底上的器件，其fmax为40GHz，这是已报道的Si/SiGe HBT的最大值，特征频率达42GHz，这是采用MBE生长的这类晶体管的最高值。