【摘 要】
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本文对源漏ｎ＋浅结注入的自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内部的电位、电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析，分析表明，不同ｎ＋注入深度对器件的特性有一定的影响，当ｎ＋注入深度为有源层厚度的１／４时，畴的体积
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本文对源漏ｎ＋浅结注入的自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内部的电位、电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析，分析表明，不同ｎ＋注入深度对器件的特性有一定的影响，当ｎ＋注入深度为有源层厚度的１／４时，畴的体积最小．适当选取ｎ＋区边缘与栅之间的距离可提高器件的击穿电压．
The steady-state distribution of potential, electric field and carrier concentration in the self-aligned GaAsMESFET with source / drain n + shallow junction injection is analyzed by two-dimensional numerical analysis. The results show that the different n + implant depth has a certain influence on the device characteristics, When the n + implantation depth is 1/4 of the active layer thickness, the domain volume is the smallest. Appropriate selection of the distance between the edge of the n + region and the gate increases the breakdown voltage of the device.
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