闪锌矿GaN（001）表面的电子结构

• 作 者: 蔡端俊 冯夏 等
• 机 构: 厦门大学物理系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2001年11期
• 关键词: 电子结构 GaN(001) 闪锌矿 半导体材料 electronic structure GaN(001) ab initio calculation
• 基金项目: 国家高技术研究发展计划 ( 86 3-715 -0 10 -0 0 2 2 ),,国家自然科学基金( 6 9976 0 2 3),,福建省自然科学基金( A0 0 2 0 0 1)资助项目~~

采用混合基表示的第一原理赝势方法，计算了闪锌矿结构的CaN（001）（1×1）干净表面的电子结构。分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质，比较了GaN（001）的Ga端表面和N端表面两种情况。结果显示，闪锌矿GaN(001)的Ga端表面比N端表面更稳定，这种（1×1）表达都是金属特性。此外，还讨论了次表面层原子的性质。