在Si(111)-(7 7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

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利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111) (7× 7)表面上的自组织生长 .通过控制Ge的沉积量 ,在Si(111) (7× 7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格 .构成超晶格的Ge团簇均位于 (7× 7)亚单胞的位置上 ,而且它们的形状和大小基本保持一致 .文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论 The self-organized growth of submicro-layer Ge on Si (111) (7 × 7) surface at room temperature was investigated by using ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy.The Si (111) (7 × 7) Surface self-organized into a two-dimensional Ge cluster superlattices with six-fold symmetry.The Ge clusters that make up the superlattice are located at (7 × 7) subunits, and their shape and size Basically the same .This paper discusses the formation mechanism of this kind of self-organization
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