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主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的ＣＭＯＳ器件，在不同情况的ｘ射线辐照下，其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将ｘ射线辐照的结果与＾６０Ｃｏ辐照的结果比较得出，ｘ射线辐照对器件损伤严重。同时，探讨了柯伐盖封装器件的剂量增强效应。
CMOS器件的x光总剂量效应
【摘 要】
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主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的ＣＭＯＳ器件，在不同情况的ｘ射线辐照下，其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将ｘ射线辐照的结果与＾６０Ｃｏ辐照的结果比较得出，ｘ射线辐照对器件损伤严重。
【机 构】
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西北核技术研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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2000年5期
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