阵列式高压交直流LED芯片的隔离工艺

• 作 者: 田婷 任芳 梁萌 王江华 刘志强 伊晓燕 袁国栋 王军喜 李
• 机 构: 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,鹤壁市大华实业有限公司
• 出 处: 照明工程学报
• 发表日期: 2019年3期
• 关键词: LED 芯片隔离 ICP深刻蚀 激光划槽 LEDchip isolationICP deep etchinglaser scribing
• 基金项目: 国家重点研发计划(批准号:2017YFB0403300,2017YFB0403302),北京市科委计划(批准号:Z161100002116032),广州市科技计划(批准号:201704030106,2016201604030035).

阵列式高压交/直流发光二极管(LED)在芯片制作过程中通过多个LED微晶粒的串并联来实现交流高压供电,属于高电压小电流的工作状态,与传统LED相比在电流扩展、封装及驱动电路设计等诸多方面有更大的优势。本文主要研究了阵列式高压交直流LED器件制备过程中的芯片隔离工艺,并对感应耦合等离子体(ICP)深刻蚀隔离以及激光划槽两种芯片隔离方法进行了对比。通过扫描电子显微镜(SEM)表征刻蚀形貌以及最终器件的伏安特性和光输出功率表明ICP深刻蚀隔离具有更高的灵活性且可以形成陡直的隔离侧壁,且可以实现较深的刻蚀深度,更