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应变硅衬底材料——弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础，其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响。综述了近年来用于纳米CMOS电路的各类弛豫SiGe层的制备技术，并对弛豫SiGe层中应变测量技术进行了简单的介绍，以期推动应变硅技术在我国芯片业的应用。
纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术
【摘 要】
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应变硅衬底材料——弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础，其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响。综述了近年来用于纳米CMOS电路的各类弛豫SiGe层的制备技术，并对弛豫SiGe
【机 构】
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河南省信阳师范学院物理与电子工程学院,清华大学微电子学研究所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2006年7期
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