ZnO纳米棒阵列/三维石墨烯异质结的制备及光催化性能研究

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本文采用CVD法在泡沫镍基底上生长三维石墨烯,再用水热法制备ZnO纳米棒阵列/三维石墨烯异质结。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)等表征方法对ZnO纳米棒阵列/三维石墨烯异质结的形貌和结构进行了分析,结果表明:生长时间为3小时的ZnO纳米棒阵列分布最为密集。紫外–可见光谱(UV-VIS)和光致发光(PL)表征结果表明:与纯ZnO纳米棒阵列相比,石墨烯与ZnO纳米棒阵列的结合可以稍微减小ZnO纳米棒阵列的带隙,降低光致发光强度。光催化实验表明:在氙灯下照射1小时后,ZnO
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