高功率无铝半导体激光器

• 作 者: 朱宝仁 张宝顺
• 机 构: 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,130022,长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室
• 出 处: 兵工学报
• 发表日期: 1999年2期
• 关键词: 无铝 高功率 半导体激光器 SQW SCH high power SCH singlequantum well semiconductor laser

介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,阈值电流密度J =30 0A/cm2 ,对于条宽W =1 0 0 μm的激光器 ,连续输出功率最大达到 4W